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Flash 存储器在嵌入式系统中具有广泛的应用，尤其是在需要大容量非易失性存储的场景中，如固件存储、日志记录、数据备份等。然而，由于 Flash 的物理特性，它在有限的擦写周期后将面临失效风险。
Flash 存储主要分为 NAND Flash 和 NOR Flash，两者在结构和应用场景上存在差异：
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NAND Flash：高密度、低成本，适用于数据存储，如 eMMC、UFS 等。
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NOR Flash：读取速度快，适用于代码存储和执行，如固件和 Bootloader。
Flash 的寿命主要由擦写周期（P/E Cycle）决定。每个存储块在经历有限次擦写操作后，可能发生不可恢复的写入错误，表现为位翻转、数据丢失等。
寿命预测的目标是基于当前的使用状态，评估 Flash 剩余可用周期。常见的方法包括：
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基于擦写计数的估算：统计每个块的擦写次数，与最大擦写次数进行比较。
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基于误码率（BER）的预测：定期读取并校验数据，以误码率变化趋势估算寿命。
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基于故障模型的预测：构建特定的故障模型，结合设备实际工作条件，预测剩余寿命。
监控方法的目标是实时获取 Flash 的健康状态，以便在寿命接近终点时采取措施。
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坏块管理（Bad Block Management, BBM）：检测和标记坏块，重定向数据。
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磨损均衡（Wear Leveling）：均衡各块的擦写次数，延长整体寿命。
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ECC 校验与纠错：采用错误校正码（ECC）修复擦写造成的错误。
下面给出一个基于擦写计数的 Flash 寿命预测代码示例。
unsignedint wear_count[BLOCK_NUM] = {0};voidwrite_block(int block_id){if (wear_count[block_id] >= MAX_PE_CYCLES) {printf("Block %d 已达最大擦写次数，需更换或标记为坏块。n", block_id);} else {wear_count[block_id]++;printf("Block %d 已写入 %d 次。n", block_id, wear_count[block_id]);}}voidcheck_flash_health(){for (int i = 0; i < BLOCK_NUM; i++) {if (wear_count[i] >= MAX_PE_CYCLES * 0.8) {printf("警告: Block %d 的擦写次数接近寿命极限。n", i);}}}intmain(){for (int i = 0; i < 10050; i++) {write_block(0);}check_flash_health();return0;}
述代码模拟了 Flash 块的擦写操作，并对寿命状态进行简单监控与预警。
Flash 寿命预测与监控是提升嵌入式系统稳定性的重要手段。
通过合理的预测和监控方法，可以有效延长 Flash 的使用寿命，降低数据丢失和系统崩溃风险。
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原文始发于微信公众号（谈思实验室）：嵌入式系统中Flash寿命预测与监控
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